10x10x0.3mm Semillas de diamante cultivadas en laboratorio CVD de diamante de grado mecánico

10x10x0.3mm Cvd Semillas de diamante cultivadas en laboratorio Diamante crudo CVD Placa de diamante de gran tamaño para el cultivo de Cvd

Descripción del producto:

El diamante de cristal único CVD (deposición química de vapor) se refiere a un tipo de diamante que se produce utilizando el proceso CVD.una mezcla de gases que contienen carbono se descompone en condiciones controladas, lo que resulta en la formación de una sola capa cristalina de diamante en un sustrato.

Detalles del producto:

Propiedades del diamante de cristal único CVD:

En comparación con otras formas de diamante sintético, el diamante de cristal único CVD tiene una estructura cristalina altamente ordenada, lo que le da mejores propiedades físicas y mecánicas.Esto hace que sea un material deseable para una gama de aplicaciones de alto rendimiento, donde su dureza y conductividad térmica son factores importantes.

El diamante tiene la conductividad térmica más alta entre los materiales naturales conocidos hasta ahora.La conductividad térmica del diamante de cristal único CVD artificial es similar a la del diamante natural (hasta 2200W/(m K), que es 7,5 veces mayor que el AIN y 4,5 veces mayor que el SiC. Al mismo tiempo, el diamante tiene las características de propiedades químicas estables, alto aislamiento y pequeña constante dieléctrica.Basado en estas excelentes propiedades, el diamante de cristal único es la primera opción para la próxima generación de aplicaciones de dispositivos electrónicos de alta potencia, alta frecuencia y baja potencia.

El uso del método de deposición de vapor químico asistido por plasma en microondas (MPACVD),el sistema de resonancia por microondas se utiliza para descomponer el gas que contiene carbono y el gas corrosivo a bajas y medianas presiones para generar plasma, y se diseña la estrategia de crecimiento del modelo de cristal de diamante de cristal único,para que el cristal de diamante se pueda utilizar El crecimiento homoepitaxial se logra en las direcciones de crecimiento 100 y 110 y 111 del cristal de semilla de diamante tipo IIb,

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